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多晶矽的物理特性

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多晶矽的物理特性

發布日期:2017-03-31 作者: 點擊:

多晶矽(polycrystalline silicon)有灰色金屬光澤,密度2.32~2.34g/cm3。熔點1410℃。沸點2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間,室溫下質脆,切割時易碎裂。加熱至800℃以上即有延性,1300℃時顯出明顯變形。常溫下不活潑,高溫下與氧、氮、硫等反應。高溫熔融狀态下,具有較大的化學活潑性,能與幾乎任何材料作用。具有半導體性質,是極為重要的優良半導體材料,但微量的雜質即可大大影響其導電性。電子工業中廣泛用于制造半導體收音機、錄音機、電冰箱、彩電、錄像機、電子計算機等的基礎材料。由幹燥矽粉與幹燥氯化氫氣體在一定條件下氯化,再經冷凝、精餾、還原而得。

多晶矽可作拉制單晶矽的原料,多晶矽與單晶矽的差異主要表現在物理性質方面。例如,在力學性質、光學性質和熱學性質的各向異性方面,遠不如單晶矽明顯;在電學性質方面,多晶矽晶體的導電性也遠不如單晶矽顯著,甚至于幾乎沒有導電性。在化學活性方面,兩者的差異極小。多晶矽和單晶矽可從外觀上加以區别,但真正的鑒别須通過分析測定晶體的晶面方向、導電類型和電阻率等。多晶矽是生産單晶矽的直接原料,是當代人工智能、自動控制、信息處理、光電轉換等半導體器件的電子信息基礎材料。


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